До стрічки
літографія та виробництво чипівРОЗВИВАЄТЬСЯ

ASML: Samsung почне масове виробництво з High-NA EUV у 2028, TSMC — з 2030

ASML повідомляє, що Samsung планує запровадити High-NA EUV для масового виробництва до 2028 року, а TSMC — почне з 2030 року. Компанія також працює над перехідом від 6-дюймових фотошаблонів до 12-дюймових з метою підвищити продуктивність і знизити витрати, з пілотною лінією до 2031 і виробництвом 12-дюймових систем до 2033.

Розмір тексту

ASML повідомила, що Samsung має розгорнути High-NA EUV у «масовому виробництві» до 2028 року, а TSMC — почати використовувати ту саму технологію з 2030 року. Цю інформацію передали через Bloomberg із посиланням на заяви виробника EUV-обладнання.

High-NA EUV (High numerical aperture extreme ultraviolet) — найпередовіша технологія EUV у портфелі ASML. За словами компанії, вона вже короткий час використовується Intel та SK hynix і забезпечує швидше виробництво, вищі виходи та щільніші пластини завдяки спрощенню окремих технологічних кроків.

ASML також працює з Samsung, TSMC, Nvidia та Apple над переходом від 6-дюймових фотошаблонів до 12-дюймових, хоча публічні оголошення від ASML стосуються перших трьох компаній. Збільшення розміру фотошаблона дозволить покривати більшу площу пластини за один EUV-промінь, зменшуючи кількість кадрів, що потрібно зшивати, і підвищуючи ефективність та економічність виробництва.

Генеральний директор ASML Кристоф Фуке (Christophe Fouquet) заявив, що очікується поступове збільшення впровадження High-NA EUV уздовж дорожньої карти масштабування пристроїв: спочатку з використанням поточних 6-дюймових фотошаблонів, а згодом зі 12-дюймовими, які забезпечать вищу продуктивність сканерів та допоможуть задовольнити попит на менші, швидші й енергоефективніші чипи. Він також відзначившироку початкову підтримку з боку виробників напівпровідників, постачальників фотошаблонів та партнерів.

За даними ASML, план полягає в створенні пілотної лінії для 12-дюймових фотошаблонів до 2031 року, що має прокласти шлях для виходу 12-дюймових High-NA литографічних систем у виробництво передових норм вузлів до 2033 року.

Видання Bloomberg робить висновок, що до 2028–2030 років великі виробники мікросхем перейдуть у активну фазу використання High-NA EUV, тоді як деякі компанії залишатимуться на Low-NA EUV або навіть DUV-технологіях. Джерело також пов’язує ці інвестиції з триваючим попитом на мікропроцесори й пам’ять, підживленим бумом у сфері штучного інтелекту, та посиланням на очікування, що попит на пам’ять перевищить пропозицію після 2030 року.

Що ми знаємо

  • ASML повідомляє, що Samsung почне масове застосування High-NA EUV у 2028 році, а TSMC — з 2030.
  • High-NA EUV вже короткий час використовують Intel і SK hynix; технологія забезпечує швидше виробництво, вищі виходи та щільніші пластини.
  • ASML працює над переходом від 6-дюймових фотошаблонів до 12-дюймових; пілотну лінію планують до 2031 року, виробництво 12-дюймових систем — до 2033.
  • Збільшення розміру фотошаблона дозволить покривати більшу частину пластини за один EUV-промінь, зменшуючи кількість кадрів і підвищуючи ефективність.

Що саме перевіряється

  • Редакція перевіряє повідомлення про те, що aSML повідомляє, що Samsung почне масове застосування High-NA EUV у 2028 році, а TSMC — з 2030.
  • Для перевірки зіставляються матеріали PC Gamer; другого незалежного підтвердження поки немає.
Якщо з’явиться нове незалежне підтвердження або спростування, воно автоматично буде додане до ланцюжка подій.
Переглянути джерела1

COMMUNITY

Обговорення

0

Коментарів ще немає. Почніть обговорення.